n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触被引量：1

Ohmic Contact on SiC Using n+ Polysilicon/n+ SiC Heterojunction

下载PDF

导出

摘要采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.

作者张林张义门张玉明汤晓燕

机构地区西安电子科技大学微电子研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期378-380,共3页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金(批准号:60376001),国防科技重点实验室(批准号:51432040103D0102)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904)资助项目

关键词 SIC 欧姆接触多晶硅异质结

参考文献2

1[2]Lu Weijin,Mitchel W C,Thornton C A.Carbon structural transitions and ohmic contacts on 4H-SiC.J Electron Mater,2003,32(5):426
2[3]Frusin L G,Zhao J H,Weiner M.Nickel ohmic contacts to p-and n-type 4H-SiC.Electron Lett,2001,37(17):1092

1James D.Plummer Silicon VLSI TechnologyFundamentals[M].Practice and Modeling,2006.
2张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地.半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层[J].微电子学与计算机,1998,15(5):53-56. 被引量：10

1张林,张义门,张玉明,汤晓燕.6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究[J].电子器件,2006,29(4):1019-1022.
2段宝兴,杨银堂.阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaNHEMTs击穿特性分析[J].物理学报,2014,63(5):360-365. 被引量：1
3孙海燕.GaN基HEMT器件特性建模及表征方法研究[J].电子世界,2011(7):38-40.
4梁斌,陈书明,刘必慰.Using 3D TCAD Simulation to Study Charge Collection of a p-n Junction in a 0.18μm Bulk Process[J].Journal of Semiconductors,2008,29(9):1692-1697.
5杨变霞,李平,刘洋.NMOS晶体管的总剂量辐射效应仿真[J].固体电子学研究与进展,2015,35(2):187-190. 被引量：6
6文帅,乔明.具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究[J].电子与封装,2015,15(8):34-37. 被引量：2
7王俊,王磊,董业民,邹欣,邵丽,李文军,杨华岳.高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响[J].物理学报,2008,57(7):4492-4496. 被引量：4
8董若岩,徐跃杭,谢俊,徐锐敏.毫米波AlGaN/GaNHEMT器件物理模型仿真[J].微波学报,2014,30(S1):48-50. 被引量：1
9程知群,靳立伟,冯志红.毫米波AlGaN/GaN HEMT交流特性研究[J].微波学报,2012,28(6):12-15. 被引量：1
10李曼,郭宇锋,姚佳飞,邹杨.理想SOMOS的电容特性[J].电子器件,2014,37(5):822-825.

Journal of Semiconductors

2006年第z1期

内容加载中请稍等...