期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

晶体结构对Er/Yb共掺ZnO薄膜光致荧光特性的影响 被引量：2

Microstructures and Photoluminescence of Er/Yb Co-Doped ZnO Films
下载PDF
导出
摘要 采用脉冲磁控溅射技术制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光(PL)光谱进行了系统分析,探讨了退火处理所导致的晶体结构变化以及反应新相的生成对Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响.研究结果表明,退火处理所导致的Er3+离子PL光谱的变化与薄膜的微观状态之间有着密切的联系.在室温到1050℃退火温度范围内,Er/Yb共掺ZnO薄膜为多晶结构,薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内氧含量增加、缺陷减少使Er3+离子荧光寿命增加以及Er3+离子激活比例增加所致.当退火温度超过1050℃,荧光强度的明显降低是由新相生成造成缺陷增加以及薄膜内氧含量降低引起.在整个退火温度范围内,薄膜的PL光谱都表现为同一种光谱特性,即明锐的多峰结构,这说明Er3+在ZnO和Zn2SiO4中的周围环境非常相似.
作者 谭娜 段淑卿 张庆瑜
机构地区 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
出处 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期9-13,共5页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金 国家自然科学基金(50240420656)资助项目
关键词 晶体结构 Er/Yb共掺ZnO薄膜 光致荧光
分类号 O484 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献12

  • 1[1]Polman A.Erbium Implanted Thin Film Photonic Materials[J].J Appl Phys,1997,82(1):1 ～ 39
  • 2[2]Shin H,Hoven G N van den,Polman A.Direct Experimental Evidence for Trap-State Mediated Excitation of Er3+ in Silicon[J].Appl Phys lett,1995,67(3):377 ～ 379
  • 3[3]Fujii M,Yoshida M,Kanazawa Y et al.1.54 μm Photoluminescence of Er3+ Doped into SiO2 Films Containing Si Nanocrystals:Evidence for Energy Transfer from Si Nanocrystals to Er3 +[J].Appl Phys Lett,1997,71(9):1198 ～ 1200
  • 4[4]You Weixiong,Lin Yanfu,Chen Yujin et al.Growth and Spectroscopic Properties of Er3+ Single Doped and Er3+-Yb3+ CoDoped YAl3 (BO3)4 Crystals[J].Journal of Crystal Growth,2004,270(3-4):481 ～ 485
  • 5[5]Zhou Jing,Moshary Fred,Gross Barry M et al.Population Dynamics of Yb3 +,Er3 + Co-Doped Phosphate Glass[J].J Appl Phys,2004,96(1):237 ～ 241
  • 6[6]Gruber John B,Sardar Dhiraj K,Zandi Bahram et al.Spectra and Energy Levels of Er3+ (4f11) in Gd3Ga5O12[J].J Appl Phys,2003,93(6):3137 ～ 3140
  • 7[7]Kik P G,Polman A.Exciton-Erbium Interactions in Si Nanocrystal-Doped SiO2[J].J Appl Phys,2000,88 (4):1992 ～ 1998
  • 8[8]den G N van,Snoeks Hoven E,Polman A et al.Photoluminescence Characterization of Er-Implanted Al2O3 Films[J].Appl Phy Lett,1993,62(24):432 ～ 434
  • 9[9]Dierolfa V,Sandmann C,Zavada J et al.Site-Selective Spectroscopy of Er in GaN[J].J Appl Phys,2004,95(10):5464～5470
  • 10[10]Hogg R A,Takahei K,Taguchi A.Photoluminescence Excitation Spectroscopy of GaAs:Er,O in the Near-Band-Edge Region[J].J Appl Phys,1996,79(11):8682 ～ 8687

同被引文献22

  • 1段淑卿,谭娜,张庆瑜.Microstructure and photoluminescence of Er-doped SiOx films synthesized by ion beam assisted deposition[J].Chinese Physics B,2005,14(3):615-619. 被引量：2
  • 2Polman A. Erbium implanted thin film photonic materials. J Appl Phys, 1997,82 (1):1 - 39
  • 3Steckl A J, Zavada J M. Optoelectronic properties and applications of rare-earth-doped CaN. MRS Bulletin, 1999,24(9) : 33 - 38
  • 4Jadwisienczak W M, Lozykowski H J, Perjeru F, et al. Luminescence of Tb ions implanted into amorphous AIN thin films grown by sputtering. Appl Phys Lett, 2000, 76 (23) : 3376 - 3378
  • 5Steckl A J, Heikenfeld J C,Lee D S,et al. Ram-earth-doped GaN: growth, properties, and fabrication of electrolumincseent devices. IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics, 2002,8(4) :749 - 766
  • 6Hernandez S, Cusco R, Artus L, et al. Lattice order in thuli um-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation. Opt Mater,2006,28(6 - 7) :771 - 774
  • 7Monteiro T, Neves A J, Carmo M C,et al. Optical and structural analysis of bulk ZnO samples undoped and rare earth doped by ion implantation. Superlattice Microst,2006,39(1 - 4) :202 - 210
  • 8Klik M A J, Izeddin I, Phillips J,et al. Excitation paths in RE- doped Ⅲ-Ⅴ semiconductors. Mater Sci Eng B 2003, 105 (1 - 3) : 141 - 145
  • 9Steckl A J, Heikenfeld J C, Lee D S, et al. Multiple color capability from rare earth-doped gallium nitride. Mater Sci Eng B,2001,81(1 - 3) :97 - 101
  • 10Losurdo M, Capezzuto P, Brtmo G, et al. Ⅲ- Ⅴ surface plasma nitridation: A challenge for Ⅲ-Ⅴ nitride epigrowth. J Vac Sci Technol A, 1999,17(4) :2194 - 2201

引证文献2

二级引证文献1

真空科学与技术学报
2006年 第z1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部