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n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性

I-V Characteristics of n-BN/p-Si Film Heterojunction
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摘要 用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质.注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5~6 Ω·cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度为99.99%).离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2.对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质.实验结果表明:离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合"隧道-复合模型"理论.
出处 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期61-63,共3页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金 国家自然科学基金(No.60376007)
  • 相关文献

参考文献3

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  • 2邓金祥,王波,严辉,陈光华.宽带隙立方氮化硼薄膜制备[J].Journal of Semiconductors,2001,22(1):66-68. 被引量:6
  • 3[3]Michael Quirk,Julian Serda著,韩郑生等译.半导体制造技术.北京:电子工业出版社,2004.448

二级参考文献1

  • 1Song Zhizhong,物理,1995年,24卷,5期,307页

共引文献5

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