摘要
本文用电子束蒸发方法制备了掺Fe、Ni的Ge-Sb-Se-Fe(Ni)薄膜.Hall效应测得薄膜均为p型半导体.对薄膜的研究表明Ge-Sb-Se中不同过渡金属元素掺杂因失电子能力差异而形成了不同的网络结构,高电负性过渡金属元素掺杂倾向于形成较少缺陷态的网络结构;Al的热扩散共掺杂使载流子浓度提高,且其浓度的提高可以抵消杂质散射引起的迁移率下降,降低薄膜的方块电阻.
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期61-63,共3页
Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金
国家自然科学基金(No.50372057,No.50332030)和国家高技术研究发展计划(863)(No.2004AA32G040)
