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低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响 被引量：1

Enhancement of Ferromagnetic Transition Temperature in (Ga, Mn) As by Post-Growth Annealing
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摘要 利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
作者 邓加军 赵建华 蒋春萍 牛智川 杨富华 吴晓光 郑厚植
机构地区 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期42-44,共3页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金重点项目(批准号:10334030),国家重点基础研究专项(批准号:2001CB3095)和留学回国人员科研启动基金资助项目
关键词 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延
分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

  • 1[1]Ohno H,ShenA,Matsukura F,et al.(Ga,Mn)As:a new diluted magnetic semiconductor based on GaAs. Appl Phys Lett, 1996,69:363
  • 2[2]Dietl T,Ohno H, Matsukura F, et al. Zener model discription of ferromagnetism in zinc blende magnetic semiconductor. Science, 2000,287:1019
  • 3[3]Matsukura F, Ohno H, Shen A, et al. Transport properties and origin ferromagnetism in (Ga, Mn) As. Phys Rev B, 1998,57:2037
  • 4[4]Yu K C,Potashnik S J,Wang R F, et al. Highly enhanced curie temperature in low-temperature annealed [Ga, Mn] As epilayer. Appl Phys Lett,2003,82:2302
  • 5[5]Hayashi T, Hashimoto Y, Katsumoto S, et al. Effect of lowtemperature annealing on transport and magnetism of diluted magnetic semiconductor (Ga, Mn) As. Appl Phys Lett, 2001,78:1691
  • 6[6]Edmonds K W,Wang K Y, Campion R P, et al. High-Curietemperature Ga1-x MnxAs obtained by resistance-monitored annealing. Appl Phys Lett, 2002,81: 4991
  • 7[7]Mathieu R,Sorensen B S,Sadowski J,et al. Magnetization of ultrathin (Ga,Mn)As layers. Phys Rev B,2003,68:184421

同被引文献29

引证文献1

二级引证文献6

Journal of Semiconductors
2005年 第z1期

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