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LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

Growth of ZnO Thin Films on LSAT(111) Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
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摘要 利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.
作者 英敏菊 杜小龙 刘玉资 曾兆权 梅增霞 郑浩 袁洪涛 贾金锋 薛其坤 张泽
机构地区 中国科学院物理研究所 北京工业大学
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期82-86,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:60476044,60376004),科技部基金(批准号:2002CB613502),教育部留学回国人员科研基金资助项目
关键词 ZnO单晶薄膜 RF-MBE LSAT(111) 旋转畴 外延取向
分类号 O484.1 [理学—固体物理]
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参考文献12

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Journal of Semiconductors
2005年 第z1期

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