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低能离子束方法制备Mn-Si薄膜

Mn-Si Films Fabricated by Low Energy Ion Beam Deposition
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摘要 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.
作者 刘力锋 陈诺夫 柴春林 杨少延 刘志凯
机构地区 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 中国科学院力学研究所国家微重力实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期94-97,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:60176001和60390072),国家重大基础研究发展计划(批准号:G20000365和G2002CB311905)资助项目
关键词 低能离子束 硅 锰 X射线衍射
分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

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Journal of Semiconductors
2005年 第z1期

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