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GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池

High Efficiency Ge Bottom Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell
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摘要 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期196-199,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:ZM200002B01)
  • 相关文献

参考文献3

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