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30GHz PHEMT振荡器

30GHz PHEMT Oscillator
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摘要 介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.
作者 吴阿慧
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期252-255,共4页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献4

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