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圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律

Kinetics of Growth of AlAs/AlGaAs Oxide in Cylindrical Mesa
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摘要 AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期281-284,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金(批准号:60276033,69889601),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070)及国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683-02)资助项目
  • 相关文献

参考文献3

  • 1[1]Shin J H, Han I Y,Lee Y H. Very small oxide-confined vertical microcavity lasers with high-contrast AlGaAs-Alx Oy mirrors. IEEE Photonics Technol Lett, 1998,10: 754
  • 2[3]Deal B E,Grove A S. General relationship for the thermal oxidation of silicon. J Appl Phys, 1965,36: 3770
  • 3[5]Koley B,DagenaisM,Jin R,et al. Kinetics of growth of AlAs oxide in selectively oxidized vertical cavity surface emitting lasers. J Appl Phys,1997,82(9):4586

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