期刊文献+

低压化学气相淀积设备使用与维护技术

下载PDF
导出
摘要 LPCVD 是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。PCVD 技术可以提高淀积薄膜的质量,使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点,成为制备 Si_3N_4薄膜的主要方法。热壁 LPCVD 设备使用过程中出现薄膜的淀积速率、薄膜的均匀性、片内均匀性、片间均匀性不理想等问题,提出解决办法。
出处 《设备管理与维修》 2005年第S1期189-192,共4页 Plant Maintenance Engineering
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献1

  • 1程开富.正交试验法优选LPCVD氮化硅膜的最佳工艺条件[J]半导体光电,1988(03).

共引文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部