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低压化学气相淀积设备使用与维护技术
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摘要
LPCVD 是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。PCVD 技术可以提高淀积薄膜的质量,使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点,成为制备 Si_3N_4薄膜的主要方法。热壁 LPCVD 设备使用过程中出现薄膜的淀积速率、薄膜的均匀性、片内均匀性、片间均匀性不理想等问题,提出解决办法。
作者
谭刚
吴嘉丽
李仁锋
机构地区
中国工程物理研究院电子工程研究所传感器研究中心
出处
《设备管理与维修》
2005年第S1期189-192,共4页
Plant Maintenance Engineering
关键词
淀积
POLY
硅片
石英舟
淀积速率
LPCVD
设备使用
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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设备管理与维修
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