辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究被引量：2

Study on analysis of doped hydrogenated nano crystalling silicon film by glow discharge spectrometry

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摘要介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜:通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.

作者张毅陈英颖吴则嘉刘晓晗杨晟远张林春

出处《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期253-258,共6页 Metallurgical Analysis

关键词辉光放电光谱法掺杂纳米硅薄膜

分类号 TF03 [冶金工程—冶金物理化学]

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