微型平面薄膜气敏元件及过冲驰豫现象的机理

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摘要利用粉末反溅研制了SnO2/CeO2Si基微型平面薄膜元件,最佳乙醇灵敏度达到80,响应时间＜10s,恢复时间＜15s;采用闭式实验测量方法时出现了过冲驰豫现象,对其产生机理的物理过程进行了分析,找出了规律,并使用Matlab软件进行了仿真.

作者邢建平李秀宇曾繁泰李伟业蔡成森李娟孟令国

机构地区山东大学信息科学与工程学院

出处《电子测量与仪器学报》 CSCD 2004年第z2期1209-1215,共7页 Journal of Electronic Measurement and Instrumentation

关键词薄膜气敏过冲驰豫 MATLAB

参考文献5

1[1]Seiyama. T Kata. A, Fujushi K et al. A new detector for gaseous component using semiconductor thin film[J].Anal Chem ,1962, 34: 1052-1053
2[2]D. Grisel. An integrated low-power thin film CO gas sensor on silicon[J]. Sens. Actuators 1998,13:301-313
3[3]Kohl D. The Role of Noble Metal sin the Chemistry of Solid state Gas Sensors. Sensors and Actuators, 1990,B1:158-165
4[4]Gardner W. A Non Linear Diffusion reaction Model of Electrical Conduction in Semiconductor Gas Sensors.Sensors and Actuators, 1990, B1:166-170
5[5]Matsuura S. New developments and applications of gas sensors in Japan[J]. Sensors and Actuators, 1993, B 13-14: 7～11

1王勃.BS—02683薄膜锂电充电电池[J].科技成果纵横,2002(6):30-31.
2银杏.氧化物超导体材料的新应用[J].等离子体应用技术快报,1997(4):20-22.
3章汛生.氧化锌压敏电阻器电流响应的时间驰豫现象和压敏特性研究[J].河南大学学报（自然科学版）,1995,25(4):96-96.
4李志伟,杨旭,王海波,刘忻,李发伸.Mssbauer study of the field induced uniaxial anisotropy in electro-deposited FeCo alloy films[J].Chinese Physics B,2009,18(11):4829-4833.
5Ling Qian,Chongwu Wang,Aiping Chen,Huagui Yang.BiOI Nanosheets Grown by Chemical Vapor Deposition and Its Conversion to Highly Efficient BiVO4 Photoanode[J].Chinese Journal of Chemistry,2017,35(1):30-34. 被引量：2
6钟雨乐,刘伟平,黄君凯.电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫[J].半导体技术,2001,26(2):56-57.
7向三名,章吉良,张明生.射频集成电感器的快速傅立叶变换模拟及制备[J].微细加工技术,2002(1):40-44.
8熊源荣.弛豫(松弛)时间[J].武汉工程大学学报,1987,21(2):75-79.
9王晓莉,姚熹.驰豫型铁电体中极性微区之间的静电耦合与弹性耦合[J].西安交通大学学报,1995,29(9):56-65.

电子测量与仪器学报

2004年第z2期

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