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高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析

Primary Analysis for Diagnostic Models Used in High Density Plasma Etching Tools
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摘要 高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法.
作者 王巍 陈大鹏 刘明 叶甜春 李兵
出处 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2004年第z2期983-986,共4页 Journal of Electronic Measurement and Instrumentation
基金 本文受到自然科学基金项目资助(项目编号:G60236010)
关键词 等离子体刻蚀 等离子体诊断 实时分析 主元素分析法 神经网络法
分类号 TM93-55 [电气工程—电力电子与电力传动]
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参考文献5

  • 1[1]P.K. Mozumder, and G.G. Barma., Statistical Feedback control of a plasma etch process, IEEE trans. Semiconductor Manufacturing, 7(1): 1-11, 1994
  • 2[2]J. Jackson, "Principal components and factor analysis I: Principal components," J. Qual. Technol., vol. 12, p. 201,1981.
  • 3[3]R. Shadmehr, D. Angell, P. Chou, G. Oehrlein, and R. Jaffe, "Principal component analysis of optical emission spectroscopy and mass spectrometry: Application to reactive ion etch process parameter estimation using neural networks," J. Electrochem. Soc., vol. 139, no. 3, Mar. 1992.
  • 4[4]Roawen Chen and Costas Spanos, The Application of In-line Sensors for Plasma Etch in Semiconductor Manufacturing, www:http://radon.eecs.berkeley.
  • 5[5]C.D. Himmel, B. Kim, G.S. May., Acomparison of statistically based and neural network models of plasma etch behavior, IEEE/SEMI intl semiconductor Manufacturing Science Symposium, 124-129, 1992.
电子测量与仪器学报
2004年 第z2期

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