低双折射系数的硅基二氧化硅波导制备与数值分析

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摘要采用非传统工艺制备了硅基二氧化硅光波导,制备的波导侧向存在一硅层.利用有限元法(FEM)从理论上分析了侧向硅层存在时的硅基二氧化硅光波导的应力分布,并采用全矢量隐含迭代法束传播法(ADI-BPM)对制备的光波导双折射系数进行计.结果表明,侧向硅层的存在可平衡硅基二氧化波导在水平方向与垂直方向的应力,减小这两个方向上的应力差,有助于减小硅基二氧化硅光波导的应力双折射.

作者安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟

机构地区中国科学院半导体研究所内蒙古大学物理系

出处《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期183-185,共3页 Journal of Optoelectronics·Laser

基金国家重点基础研究发展规划(G2000036602)、国家高技术研究发展计划(2002AA312260)和国家自然科学基金(69889701)资助项目

关键词硅基二氧化硅光波导制备工艺应力双折射数值分析

分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]

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