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CdS纳米线阵列光致发光的研究

Photoluminescence of CdS nanowire arrays
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摘要 用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,SEM和XRD的观察和测量表明,CdS纳米线尺寸均匀、排列规整,具有六方纤锌矿结构,Cd和S的化学计量比为1:1.CdS纳米线阵列的光致发光测量显示,激发波长为325nm时,CdS纳米线阵列在450nm处有一强的PL峰,在484nm处还有一肩峰.对其光致发光机理进行了分析.
作者 孙岚 陈朝 林昌健
机构地区 厦门大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期462-463,467,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家863计划资助项目(2003AA302230) 国家自然科学基金资助项目(20273055,1130-K16002)
关键词 Gds纳米线 氧化铝模板 直流电沉积 光致发光
分类号 O646 [理学—物理化学]
  • 相关文献

参考文献6

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功能材料
2004年 第z1期

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