CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能

Preparation and properties of CoCrPtNb/CrTi/C magnetic recording media using glass substrate

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摘要采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.

作者杨晓非游龙李震林更琪李佐宜

机构地区华中科技大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期767-769,共3页 Journal of Functional Materials

基金湖北省自然科学基金资助项目(2002AB032) 教育部博士学科点基金资助项目(20010487021)

关键词玻璃盘基磁记录介质射频磁控溅射

分类号 TM21 [一般工业技术—材料科学与工程]

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