SOI在高压器件中的应用被引量：1

The application of SOI in high-voltage devices

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摘要综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

作者王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠

机构地区中国科学院

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期983-987,共5页 Journal of Functional Materials

基金国家重点基础研究专项经费(G20000365) 国家自然科学基金资助项目(90101012) 上海市科技发展基金资助项目(0252nm084和0359nm004)

关键词 SOI 高压器击穿电压

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] O472+.4 [理学—半导体物理]

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