OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进

OVC thin films and its improvement on the heterojunction of the CIGS thin film solar cells

下载PDF

导出

摘要通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.

作者薛玉明孙云朴英美李长健

机构地区南开大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1009-1011,共3页 Journal of Functional Materials

关键词异质结能带边失调值 CIGS OVC

分类号 TM914.4+2 [电气工程—电力电子与电力传动]

引文网络
相关文献

参考文献11

1[1]Se Han Kwon, Byung Tae Ahn, Seok Ki Kim, et al. [J].Thin Solid Films, 1998, 323: 265-269.
2[2]Wang H P, Shih I, Champness C H. [J]. Thin Solid Films,2001, 387: 60-62.
3[3]Wang H P, Shih I, Champness C H. [J]. Thin Solid Films,2000, 361-362: 494-497.
4[4]Yasunori Okano, Tokio Nakada, Akio Kunioka. [J]. Solar Energy Materials and Solar cells, 1998, 50:105-110.
5[5]Xiao H Z L. Yang-Chung Rockett A. [J]. J Appl phys, 1994,76(3).
6[6]Tokio Nakada, Takuhei Mouri, Yasunnori Okano, et al. [C].14th European Photovoltaic solar energy conference 1997, 6.
7[7]Naoki KOHARA, Takayuki NEGAMI, Mikihiko NISHITANI et al. [C]. 14th European Photovoltaic solar energy conference 1997.
8[8]Se Han Kwon, Byung Tae Ahn et al. [C]. 14th European Photovoltaic solar energy conference 1997.
9[9]Adurodija F O. Kim S K, Kim S D, et al. [J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 1998, 55: 225-236.
10[10]薛玉明.[D].天津:南开大学硕士毕业论文,2003.

1薛玉明,孙云,李凤岩,朴英美,刘维一,周志强,李长健.CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析[J].人工晶体学报,2004,33(5):841-844. 被引量：5
2刘泽,韩敏芳,杨志宾,蒋先锋.UCG煤气作燃料的SOFC开路电压研究[J].电池,2006,36(5):367-370. 被引量：4
3施小忠,汪乐,夏冠群.局部旁路漏电对太阳电池结特性的影响[J].太阳能学报,1999,20(2):209-215. 被引量：2
4JI Zhen-guo KE Wei-qing MAO Qin-an ZHANG Chun-ping SUN Xin-li.Fabrication and Characterization of Solar Cells Made of p-CuO/n-Si Hetero Junctions[J].Semiconductor Photonics and Technology,2009,15(4):214-218.
5孙雷,马建华,姚娘娟,黄志明,褚君浩.铜含量变化对Cu(In,Ga)Se_2薄膜微结构的影响（英文）[J].红外与毫米波学报,2017,36(1):1-5. 被引量：1
6施小忠,夏冠群,汪乐,莫金玑.MOCVD GaAs太阳电池的结特性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(1):72-78.
7张嘉伟,薛玉明,李微,赵彦民,乔在祥.Morphology of CIGS thin films deposited by single-stage process and three-stage process at low temperature[J].Optoelectronics Letters,2013,9(6):449-453.
8张治国.非晶硅费米能级不钉扎[J].太阳能学报,2003,24(6):841-844. 被引量：1
9施小忠,夏冠群,汪乐.GaAs太阳电池的体电阻及旁路漏电对电池结特性的影响[J].固体电子学研究与进展,1998,18(4):392-398.
10陈光华,张仿清,李彦尊.非晶硅太阳电池中缓变P-I异质结的光、热稳定性的研究[J].甘肃科学（甘肃科学院学报）,1990,2(3):1-6.

功能材料

2004年第z1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进

参考文献11

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史