稀磁半导体研究的最新进展被引量：4

Recent development on diluted magnetic semiconductors

下载PDF

导出

摘要本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.

作者李东王耘波于军王宝义魏龙

机构地区华中科技大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1110-1115,共6页 Journal of Functional Materials

基金国家自然科学基金资助项目(60171012) 中科院核分析技术国家开发实验室基金项目(K-96)

关键词稀磁半导体居里温度自旋-自旋交换分子束外延法

参考文献2

1陈小余.一维Thue—Morse序列阻挫伊辛模型的热力学性质[J].中国计量学院学报,1995,6(2):41-45.
2侯登录.稀磁半导体的制备与性质[J].物理实验,2005,25(8):3-7. 被引量：8
3李金华,张吉英,赵东旭,吕有明,申德振,范希武.Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响[J].液晶与显示,2006,21(6):615-619. 被引量：8
4李金华,张吉英,赵东旭,吕有明,申德振,范希武.不同退火温度下Mn掺杂ZnO纳米晶的结构和磁性[J].液晶与显示,2007,22(1):11-14. 被引量：2
5任平,张俊喜,徐群杰.Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展[J].上海电力学院学报,2007,23(1):53-56.
6蔡淑珍,秦向东,段平光,李霞,张玉梅.ZnO基稀磁半导体的研究进展[J].河北大学学报（自然科学版）,2007,27(3):332-336. 被引量：2
7王鹏飞,周剑平,巫建功,王永明.ZnO基稀磁半导体纳米薄膜材料的研究进展[J].宝鸡文理学院学报（自然科学版）,2009,29(1):45-50.
8马国立,郭喜平,介万奇.Cd_(1-x)Mn_xTe单晶生长特性的研究及其生长条件的选择[J].材料导报,1998,12(5):30-32.
9卫芬芬,苟科进,廖辉,曹海宾,邓东.稀磁半导体材料的研究进展[J].科技信息,2010(18). 被引量：2
10张继军,王林军,施凌云.Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体的磁化强度和法拉第效应研究[J].功能材料,2011,42(5):831-833. 被引量：5

1修向前,李斌斌,张荣,陈琳,谢自力,韩平,施毅,郑有炓.Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质[J].Journal of Semiconductors,2007,28(z1):145-148. 被引量：4
2常凯,夏建白.稀磁半导体——自旋和电荷的桥梁[J].物理,2004,33(6):414-418. 被引量：13
3刘艳美,李俊,宋学萍,李爱侠,韩家骅,周圣明.钴、锰掺杂氧化锌薄膜的制备和特性研究[J].安徽大学学报（自然科学版）,2004,28(4):38-42. 被引量：2
4朋兴平,谭永胜,方泽波,杨映虎,王印月.用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜[J].发光学报,2004,25(6):701-704. 被引量：4
5刘宜华,张连生.稀释磁性半导体[J].物理学进展,1994,14(1):82-120. 被引量：18
6边继明,李效民,张灿云,赵俊亮,于伟东,高向东.氮-铟共掺杂ZnO薄膜的制备及表征[J].液晶与显示,2005,20(3):200-204. 被引量：8
7王秀峰,王永兰,金志浩.水热法制备陶瓷材料研究进展[J].硅酸盐通报,1995,14(3):25-30. 被引量：27
8侯登录.稀磁半导体的制备与性质[J].物理实验,2005,25(8):3-7. 被引量：8
9朱顺明,叶建东,顾书林,刘松民,郑有炓,张荣,施毅.Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性[J].Journal of Semiconductors,2005,26(8):1567-1571. 被引量：7
10王永强,陈伟,缪菊红,任光明,肖循,肖利霞,商景林,袁力,刘胜,夏正才.稀磁半导体Zn_(0.7)Mn_(0.15)Co_(0.15)O中的铁磁行为[J].低温物理学报,2006,28(1):17-20. 被引量：7

1张云丽,杨建国,朱自强,周小东,巫洪章,谭明秋.Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究[J].周口师范学院学报,2015,32(2):49-52.
2文黎巍,叶金琴.Mn掺杂GaAs体系的第一性原理研究[J].河南工程学院学报（自然科学版）,2015,27(2):78-80. 被引量：2
3毛著鹏,赵旭才,王少霞,刘桂安,雷博程,张丽丽.Tc掺杂含氧空位的SnO2电子结构的第一性原理研究[J].伊犁师范学院学报（自然科学版）,2019,13(3):32-37. 被引量：1

1张寿柏.世界最高温度的超导体[J].日本科技信息,1993(1):11-12.
2孙小玲,马鸿文.CuInSe2太阳电池薄膜的制备技术及研究进展[J].地质科技情报,1996,15(3):99-104.
3高建龙,周建中,张莉.MgB_2超导薄膜制备方法对比研究[J].物理,2008,37(7):493-499. 被引量：5
4黄旭日,肖兴才,李泽生,孙家钟.稀土化合物Ho_2Co_（14）Fe_3的磁性分析[J].高等学校化学学报,1996,17(4):592-595.
5GUO Yang LIU Yao-Ping LI Jun-Qiang ZHANG Sheng-Li MEI Zeng-Xia DU Xiao-Long.Van der Pauw Hall Measurement on Intended Doped ZnO Films for p-Type Conductivity[J].Chinese Physics Letters,2010,27(6):171-174.
6朱培强,张晋敏,郑旭,陈站.Fe3Si薄膜的制备和性能研究[J].纳米科技,2010,7(5):34-37. 被引量：1

功能材料

2004年第z1期

内容加载中请稍等...