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AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长

Oriented ZnO thin films prepared on AlN/Si substrates
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摘要 当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.
机构地区 北京工业大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1126-1127,共2页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目(10104004) 北京市科技新星和北京市教委科技发展计划
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献2

  • 1Wang B,Vacuum,1997年,48卷,5期,427页
  • 2Cheng C,J Vac Sci Technol A,1996年,14卷,4期,2238页

共引文献12

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