摘要
当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1126-1127,共2页
Journal of Functional Materials
基金
国家自然科学基金资助项目(10104004)
北京市科技新星和北京市教委科技发展计划