ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

Preparation and characterization of ZnO:Ga films prepared by r.f. magnetron sputtering at low temperature

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摘要采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.

作者余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊

机构地区山东大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1131-1133,共3页 Journal of Functional Materials

基金教育部科学技术研究重点项目(02165) 博士点基金资助项目(20020422056)

关键词磁控溅射 ZNO:GA 光电特性

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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