CdIn2O4薄膜性质及其应用研究被引量：1

Study on the properties and applications of CdIn2O4 films

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摘要利用射频反应溅射法在玻璃衬底上在Ar和O2气氛中从Cd-In合金靶上制备出了CdIn2O4薄膜.实验结果表明退火处理对CdIn2O4薄膜的光电性质有重要的影响.退火处理进一步降低了CdIn2O4膜的电阻率,在可见光区域内该膜的最高光透射率超过了90%.研究还发现CdIn2O4膜电阻在CO气氛中十分敏感的发生变化,并且提高温度和在膜上生长不连续的Pt粒子可进一步增强气敏特性.实验研究还表明CdIn2O4膜气敏传感器响应时间比通用的气敏元件快得多.

作者张津

机构地区重庆工学院

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1193-1195,共3页 Journal of Functional Materials

关键词 CdIn2O4薄膜退火处理电阻率气敏性

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

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