摘要
用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);Znin×缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很高灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1208-1211,共4页
Journal of Functional Materials
基金
安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2004kj289)