Mn注入n型Ge单晶的磁性研究

Magnetic study of Mn-impanted n-type Ge single crystal

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摘要利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.

作者刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏周剑平

机构地区中国科学院半导体研究所中国科学院力学研究所

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1219-1221,1224,共4页 Journal of Functional Materials

基金国家自然科学基金资助项目(60176001) 国家重大基础研究计划资助项目(G20000365)

关键词离子注入铁磁性 MnxGe1-x

分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]

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