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离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究 被引量：2

Study on GaAs:Mn film fabricated by ion-implantation
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摘要 采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
作者 宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 刘志凯
机构地区 中国科学院半导体所 中国科学院力学研究所
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1308-1310,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目(60176001) 国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
关键词 半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度
分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献8

  • 1[1]Ohno H. Making nonmagnetic semiconductors magnetic Science. [J]. 1998, 281: 951.
  • 2[2]Prinz G. Magnetoelectronics Science. [J]. 1992, 282: 1660.
  • 3[3]Ohno H, Shen A, Matsukara F, et al. (Ga,Mn)As:A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs Appl. Phys.Lett. [J]. 1996, 69: 363.
  • 4[4]Stefano Sanvito and Nicola A. Hill Influence of the local As antisite distribution on ferromagnetism in (Ga, Mn)As Appl.[J]. Phys. Lett. 2001,78:3493.
  • 5[5]Theodoropoulou N, Hebard A F, Overberg M E, et al.,Magnetic and structural properties of Mn-implanted GaN Appl .[J]. Phys. Lett. 2001,78:3475.
  • 6[6]Reed M L, El-Masry N A, Stadelmaier H H, et al. Room temperature ferromagnetic properties of (Ga, Mn)N,Appl.[J]. Phys. Lett. (2001) 79: 3473.
  • 7[7]Park Y D, Lim J D, Suh K S, et al. Carrier-mediated ferromagnetic ordering in Mn ion-implanted p+GaAs:C Phys.[J]. Rev. B (2003) 68, 085210.
  • 8[8]Scarpulla M A, Dubon O D, Yu K M, et al Appl. [J]. Phys.Lett. (2003) 82: 1251.

同被引文献36

引证文献2

二级引证文献6

功能材料
2004年 第z1期

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