铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

Effect of lead additives on the electrical properties of BST ferroelectrics thin film

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摘要为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.

作者姜胜林曾亦可刘少波刘梅冬

机构地区华中科技大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1315-1319,共5页 Journal of Functional Materials

基金国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA325080) 国家自然科学基金重大研究计划项目(90201028)

关键词铅掺杂 BST铁电薄膜结晶性能铁电弛豫和弥散相变

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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