Yb3+:KGW激光晶体生长与表征

Growth and characterization of laser crystal Yb3+: KGW

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摘要通过对K2WO4和K2W2O7两种助溶剂的对比、分析,选择K2W2O7做助溶剂,采用顶部籽晶(TSSG)法生长Yb:KGW晶体.设计了合理的工艺条件:转速:10～15r/min;降温速率:0.05℃/h;生长周期:15d.通过对Yb:KGW晶体粉末样品的X-ray衍射谱与KGW粉末样品的X-ray衍射谱对比分析,生长晶体为β-Yb:KGW晶体.利用TG-DTA测定Yb:KGW晶体的熔点及相变温度分别是1086℃和1021℃.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.

作者王英伟程灏波朱忠丽孙晶刘景和

机构地区长春理工大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期206-208,211,共4页 Journal of Functional Materials

基金总装备部预研管理中心预先研究资助项目(41312040801) 吉林省科技发展计划资助项目(200110565).

关键词 Yb:KGW激光晶体晶体生长顶部籽晶提拉法

分类号 O782.6 [理学—晶体学]

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相关文献

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