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掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究

Study on dopant effect on structure and dielectric property of BTZ ceramic sintered in reducing atmosphere
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摘要 研究了V2O5与Y2O3共掺杂对BaTi0.85Zr0.15O3(BTZ)陶瓷结构和性能的影响.发现适量的V2O5掺杂与Y2O3共同作用,在保证较高常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显.通过控制二者的含量,可以在1280℃烧出结构致密、介电性能和绝缘性能良好的陶瓷材料.Y2O3能够促进材料烧结,提高材料的烧成收缩.在还原气氛烧成的条件下,部分V5+可以进入钛酸钡晶格,起到受主掺杂的功效,中和材料中的自由电子,增加V2O5掺杂的数量可以有效地提高材料的绝缘电阻.
作者 王森 纪箴 黄运华 顾友松 周成 张跃
机构地区 北京科技大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1500-1503,共4页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目(50325209,50172006) 教育部回国人员重点基金资助项目
关键词 BTZ 掺杂 介温曲线 介电常数
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

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二级参考文献2

共引文献13

功能材料
2004年 第z1期

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