PECVD法制备微晶硅薄膜的研究

The study of microcrystalline silicon prepared by PECVD

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摘要对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.

作者蔡宏琨郝延明张德贤林列

机构地区天津师范大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1938-1940,共3页 Journal of Functional Materials

基金天津市高等学校科技发展基金资助项目(020401)

关键词太阳电池微晶硅电导率光学带隙

参考文献3

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功能材料

2004年第z1期

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