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Si基底上TiN膜不同参数(分压,膜厚,束流强度)下的PAT缺陷分析 被引量：2

Analyzing of defectiveness for the TiN thin film of different parameters on Si substrate by using PAT (positron annihilation technique) technique
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摘要 用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilation technique)技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基底的缺陷的影响,解释并论证了改进实验的方法.
作者 冯宏剑 赵杰
机构地区 天津师范大学物电学院凝聚态物理中心 渭南师范学院量子光学与光子学研究室/物理学系
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2138-2140,共3页 Journal of Functional Materials
基金 天津自然科学基金资助项目(023613611) 陕西省教委科研基金(02JK191)
关键词 IBAD PAT 缺陷
分类号 TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
  • 相关文献

参考文献2

同被引文献15

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引证文献2

二级引证文献8

功能材料
2004年 第z1期

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