氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

Influence of hydrogen and oxygen plasma treatment on field emission characteristics of boron nitride thin films

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摘要用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.

作者李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年

机构地区吉林大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2196-2198,共3页 Journal of Functional Materials

关键词氮化硼薄膜场发射表面处理阈值电场发射电流

分类号 O484 [理学—固体物理]

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