期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

一种新型的纳米巨磁阻抗磁敏传感器 被引量：2

A new nano giant magneto-impedance magnetic sensor
下载PDF
导出
摘要 主要介绍纳米微晶材料的巨磁阻抗效应及利用该效应研制的一种新型的磁敏传感器.它以脉冲频率的方式作为输出结果,与传统的磁敏传感器相比,具有高灵敏度、便于数字化测量等优点,在地磁测量、磁航向等方面有良好的应用前景.
作者 吴志明 杨燮龙 杨介信 戴文恺 赵振杰 俞建国 丁永芝 丁浩
机构地区 华东师范大学纳米功能材料与器件研究中心 上海华泰纳米磁敏器件研究所
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2966-2968,共3页 Journal of Functional Materials
基金 上海市科委科技发展基金资助项目(0211nm077,0352nm060) 国家863计划资助项目(2002AA302601)
关键词 磁敏传感器 巨磁阻抗效应 频率测量
分类号 O472 [理学—半导体物理]
  • 相关文献

参考文献6

  • 1[1]Mohri K, Kohsawa T, Kawashima K, et al. [J]. IEEE Transactions on Magnetics, 1992, 28:3150.
  • 2[2]Yang X L, Yang J X, Chen G, et al. [J]. J Magn. Magn.Mater., 1997, 175: 285.
  • 3杨介信,杨燮龙,陈国,蒋可玉,沈国土,胡炳元,金若鹏.一种新型的纵向驱动巨磁致阻抗效应[J].科学通报,1998,43(10):1051-1053. 被引量：57
  • 4[4]Mohri K, Uchiyama T L, et al. [J]. IEEE Transactions on Magnetics, 2002, 38(5): 3063.
  • 5[5]Zhao Z J, Bendjaballah F, Yang X L, et al. [J]. J. Magn.Magn. Mater., 2002, 246: 62.
  • 6[6]Wang Z C, Gong F F, Yang X L, et al. [J]. J. Appl. Phys,2000, 87: 4819.

二级参考文献3

共引文献56

同被引文献12

  • 1郑金菊,余水宝,孙笑琴.一种新型的磁敏传感器[J].仪器仪表学报,2005,26(z1):308-309. 被引量：8
  • 2陈世元,张亮,李德仁,卢志超,滕功清.基于巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器[J].磁性材料及器件,2007,38(3):46-49. 被引量：6
  • 3Mohri K, Kohzawa T, Kawashima K, et al. Magneto- inductive effect ( MI effect) in amorphous wires [ J ]. IEEE Transactions on Magnetics, 1992,28 (5) :3150-3152.
  • 4Mohri K, Uchiyama T, Shen L P, et al. Amorphous wire and CMOS IC-based sensitive micro-magnetic sensors (MI sensor and SI sensor)for intelligent measurements and controls [ J ]. Magnetism and Magnetic Materials, 2002,249( 1 ) :351-356.
  • 5Mohri K, Uchiyama T, Shen L P, et al. Amorphous wire and CMOS IC-based sensitive micro-magnetic sensors utilizing magneto-impedance ( MI ) and stress-impedance (SI) effects[ J ]. IEEE Transactions on Magnetics,2002, 38(5) :3063-3068.
  • 6Cai C M, Usami K, Hayashi M, et al. Frequency- modulation-type MI sensor using amorphous wire and CMOS inverter multivibrator[ J]. IEEE Transactions on Magnetics, 2004,40 ( 1 ) : 161 - 163.
  • 7Nakamura Y, Uchiyama T, Cai C M, et al. PWM-type a- morphous wire CMOS IC magneto-impedance sensor having high-temperature stability [ J ]. IEEE Transactions on Magnetics ,2008,44 ( 11 ) :3981-3984.
  • 8Yu Geliang, Bu Xiongzhu, Xiang Chao, et al. Design of a GMI magnetic sensor based on longitudinal excitation [ J]. Sensors and Actuators A,2010,161 ( 1 ) :72-77.
  • 9Mohri K;Shen L P;Cai C M.Amorphous Wire and CMOS IC-Based Sensitive Micromagnetic Sensors Utilizing Magnetoimpedance(MI) and Stress-Impedance (SI) Effects[J],2002(05).
  • 10Mohri K;Kawashima K;Kohzawa T.Magnetoinductive effect in amorphous wires[J],1992(05).

引证文献2

二级引证文献6

功能材料
2004年 第z1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部