水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制

The control on EPD during growing HB-GaAs-Si single crystals

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摘要讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

作者于洪国武壮文王继荣张海涛

机构地区北京有色金属研究总院

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3079-3080,共2页 Journal of Functional Materials

关键词水平砷化镓位错密度熔区温度梯度

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2004年第z1期

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