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温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响 被引量：2

Influence of temperature and temperature gradient on the growth of SiC monocrystals
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摘要 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.
作者 李现祥 李娟 董捷 王丽 姜守振 韩荣江 徐现刚 王继扬 胡小波 蒋民华
机构地区 山东大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3084-3086,3089,共4页 Journal of Functional Materials
基金 国家863高技术计划资助项目(2001AA311080) 国家自然科学基金资助项目(60025409)
关键词 SIC单晶 温度及温度梯度 生长速率 多型 扩径生长
分类号 O782.7 [理学—晶体学]
  • 相关文献

参考文献8

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同被引文献7

引证文献2

二级引证文献4

功能材料
2004年 第z1期

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