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单晶铋纳米线阵列的可控生长

Controlled growth of single crystalline bismuth nanowire arrays
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摘要 采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而变大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.
作者 李亮 李广海 张立德
机构地区 中国科学院
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3087-3089,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家重大基础研究"973"资助项目(1999064501)
关键词 铋 纳米线阵列 脉冲电沉积 氧化铝模板
分类号 TG146.17 [金属学及工艺—金属材料]
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功能材料
2004年 第z1期

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