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Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

Investigation on growth and holographic storage of Ce:Eu:SBN crystal
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摘要 在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.
机构地区 哈尔滨工业大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3090-3092,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家973资助项目项目(G19990330) 国家863计划资助项目(2001AA31304)
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参考文献1

二级参考文献1

  • 1徐怀方,中国激光,1987年,14卷,4期,220页

共引文献3

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