AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

Degree of supercooling studies of AgGaS2 single crystal growth

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摘要根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.

作者刘娟赵北君朱世富张伟张建军刘敏文李一春陈宝军黎明

机构地区四川大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3093-3095,共3页 Journal of Functional Materials

关键词硫镓银单晶生长过冷度

分类号 O795 [理学—晶体学]

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