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退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响 被引量：1

The influence of anneal on the properties of SiO2 thin films prepared by sol-gel method
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摘要 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.
作者 郭嘉 龚明 许小亮 张慰萍 郭海 王燎原 陈滢滢 刘佩尧 刘洪图
机构地区 中国科学技术大学 中国科学技术大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3171-3174,共4页 Journal of Functional Materials
基金 安徽省人才开发基金(2003Z021)以及中国科学技术大学物理人才基地基金的资助(KY5002)
关键词 退火 SOL-GEL SIO2薄膜 膜厚 折射率
分类号 TM215 [一般工业技术—材料科学与工程] O484.4 [理学—固体物理]
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引证文献1

二级引证文献5

功能材料
2004年 第z1期

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