a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响

Effect of preparation technology on the photoelectric properties of a-Si:H thin films

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摘要采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.

作者王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华

机构地区北京工业大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3198-3200,3204,共4页 Journal of Functional Materials

基金国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)

关键词氢化非晶硅氢含量光敏性光致衰退

分类号 O484.4 [理学—固体物理]

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参考文献2

1张世斌,孔光临,徐艳月,王永谦,刁宏伟,廖显伯.微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化[J].物理学报,2002,51(1):111-114. 被引量：6
2汪六九,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,韩一琴.热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性[J].物理学报,2003,52(11):2934-2938. 被引量：25

二级参考文献13

1Papadopulos P,Scholz A,Bauer J,Schroder B and Oechsner H 1993J. Non-Cryst. Solids 87 164.
2Weber U, Koob M, Dusane R O, Mukherjee C, Seitz H and Schrfider B 2000 Proceedings of the European Photovoltaic Solar Energy Conference Glasgow p286.
3Nelson B, Iwaniczko E, Mahan A H, Wang Q, Xu Y, Crandall R Sand Branz H M 2000 Extended Abstract of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-wire CVD ) Process p291.
4Mahan A H, Carapella J, Nelson B P, Crandall R S and Balberg I 1991 J Appl Phys 69 6728.
5Tsu R, Gonzalez-Hemandez J, Chao S S, Lee S C and Tanaka K 1982 Appl Phys Lett 40 534.
6Matsumura H 1989 J Appl Phys 64 4396.
7Street R A, Wu X D, Weisfield R, Ready S, Apte R, Nguyen M and Nylen P 1995 Mater. Res. Soc. Symp. Proc.377 757
8Staebler D L and Wronski C R 1977 Appl. Phys. Lett. 31 292
9Sheng S R, Liao X B and Kong G L 1998 Applied Physics Lett.73336
10Sheng S R, Liao X B, Ma Z X, Yue G Z, Wang Y Q and Kong G L 2001 Solar Energy Materials & Solar Cells68 123

共引文献29

1张晓丹,赵颖,朱锋,魏长春,吴春亚,高艳涛,侯国付,孙建,耿新华,熊绍珍.VHF-PECVD低温制备微晶硅薄膜的拉曼散射光谱和光发射谱研究[J].物理学报,2005,54(1):445-449. 被引量：20
2张晓丹,高艳涛,赵颖,朱锋,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍.本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究[J].人工晶体学报,2005,34(2):297-300. 被引量：3
3谷锦华,周玉琴,朱美芳,李国华,丁琨,周炳卿,刘丰珍,刘金龙,张群芳.低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究[J].物理学报,2005,54(4):1890-1894. 被引量：17
4张晓丹,赵颖,高艳涛,朱锋,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍.微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究[J].物理学报,2005,54(8):3910-3914. 被引量：7
5张海芳,杜丕一,翁文剑,韩高荣.Ni,Fe离子掺杂对Ge-Sb-Se薄膜的结构与性能影响研究[J].物理学报,2005,54(11):5329-5334. 被引量：3
6高艳涛,张晓丹,赵颖,朱锋,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍.本征微晶硅材料及其在电池中的应用[J].真空科学与技术学报,2005,25(5):388-390. 被引量：5
7周玉锋,张宇民,韩杰才.硅膜制备[J].材料导报,2005,19(12):84-86. 被引量：5
8高艳涛,张晓丹,赵颖,孙建,朱峰,魏长春.激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响[J].物理学报,2006,55(3):1497-1501. 被引量：7
9韩晓霞,于威,张立,崔双魁,路万兵.纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析[J].河北大学学报（自然科学版）,2006,26(2):152-156.
10张晓丹,赵颖,朱锋,高艳涛,麦耀华,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍.微晶硅电池的制备及提高其效率的优化[J].太阳能学报,2006,27(5):419-422. 被引量：2

1荣延栋,阴生毅,胡跃辉,吴越颖,朱秀红,周怀恩,张文理,邓金祥,陈光华.热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究[J].功能材料,2004,35(z1):3181-3183.
2张文理,陈光华,何斌,朱秀红,马占洁,丁毅,刘国汉,郜志华,宋雪梅.热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(z1):67-70.
3马占洁,陈光华,何斌,刘国汉,朱秀红,张文理,李志中,郜志华,宋雪梅,邓金祥.氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素[J].真空科学与技术学报,2006,26(z1):98-100.
4刘万芳,李敏.单模辐射场作用过程中二能级原子的Wigner-Yanase偏态信息[J].四川大学学报（自然科学版）,2014,51(6):1244-1248. 被引量：1
5朱秀红,陈光华,郑茂盛.沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响(英文)[J].功能材料与器件学报,2012,18(2):103-108.
6王银珍,段萍萍,李宁,周良华,贺松华,孙旭炜,李炜,初本莉,何琴玉.水热法制备Eu^(3+)掺杂β-Ga_2O_3粉体的结构及性能[J].发光学报,2015,36(6):605-609. 被引量：1
7陈光华,朱秀红,邓金祥,刘钧锴,陈浩.高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展[J].物理,2004,33(11):823-825. 被引量：1
8高卓,胡跃辉,朱秀红,马占杰,周怀恩,陈光华.MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究[J].功能材料,2004,35(z1):432-433.
9张生俊,陈光华.热丝辅助ECR CVD制备cBN薄膜[J].无机材料学报,2003,18(4):947-950. 被引量：2
10吴越颖,胡跃辉,阴生毅,荣延栋,王青,高卓,李瀛,宋雪梅,陈光华.热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜[J].功能材料,2004,35(z1):3184-3186.

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