CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

The etch pit shapes observation of (111)、 (110) and (100) faces of CZT crystals

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摘要利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

作者陈俊朱世富赵北君高德友魏昭荣李含冬韦永林唐世红

机构地区四川大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3320-3322,共3页 Journal of Functional Materials

基金国家自然科学基金(60276030) 教育部博士点基金资助(20020610023)

关键词晶体生长蚀坑密度布里奇曼法晶体定向

分类号 O785 [理学—晶体学]

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