PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究

Photoelectronic properties of polycrystalline mercuric iodide films prepared by PVD

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摘要用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).

作者雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军

机构地区上海大学

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期390-393,共4页 Journal of Functional Materials

基金上海市教育委员会"材料学"重点学科资助

关键词多晶碘化汞物理气相沉积探测器

分类号 O782.7 [理学—晶体学]

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