期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构 被引量：4

Polytypes identification of SiC crystal by micro-raman spectroscopy
下载PDF
导出
摘要 利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多型的六角度h处,据此对4H-SiC单晶中的多型进行了鉴定.同时采用高分辨X射线衍射测量了该晶片不同区域的摇摆曲线,将不同多型体的计算衍射角与实验值加以比较,对SiC晶片中的多型进行了标注,所得结论与激光Raman光谱测定结果相一致,说明Raman光谱是一种简单、快速地鉴定多型结构的强有力的工具.实验结果表明,在升华法生长4H-SiC单晶过程中,容易出现寄生6H、15R多型同4H多型的竞争生长,简单分析了寄生多型产生的原因.
作者 王丽 胡小波 董捷 李娟 姜守振 李现祥 徐现刚 王继扬 蒋民华
机构地区 山东大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3400-3404,共5页 Journal of Functional Materials
基金 本项目得到国家863高技术计划(2001AA311080) 国家自然科学基金(60025409)的资助
关键词 显微激光Raman光谱 X射线摇摆曲线 SIC单晶 多型鉴定
分类号 O657.37 [理学—分析化学] O782.9 [理学—晶体学]
  • 相关文献

参考文献12

  • 1[1]Casady J B, Johnson R W. [J]. Solid-State Electronics, 1996,39:1409.
  • 2[2]Rottner K, Frischholz M, Myrtveit T, et al. [J]. Materials Science and Engineering B,1999,61-62:330.
  • 3[3]Sriram S, Siergiej R R, Clarke R C, et al. [J]. Phys. Stat. Sol.(a), 1997,162:441.
  • 4[4]Hobgood D, Brady M, Brixius W, et al. [F]. Mater Sci Forum, 2000, 338-342:3.
  • 5[5]Morkoc H, Strite S, Gao G B, et al. [J]. J Appl Phys,1994,76 (3):1363.
  • 6[6]Felsman D W, James Parker H, Choyke W J, et al. [J].Physic al Review, 1968,170:698.
  • 7[7]Nakashima S, Katahama H, Nakakura Y, et al. [J]. Physical Review B, 1986,33:5721.
  • 8[8]Nakashima S, Hangyo M. [J]. Solid State Communications,1991,80:21.
  • 9[9]Nakashima S, Kisoda K. [J]. J Appl Phys, 1994,75:5354.
  • 10[10]Nalashima S, Harima H, Nalashima S, et al. [J]. Phys Stat Sol,(a), 1997,162:39.

同被引文献32

  • 1王英民,宁丽娜,彭燕,徐化勇,胡小波,徐现刚.6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究[J].人工晶体学报,2009,38(1):7-10. 被引量：5
  • 2张驰,梁汉琴,李寅生,陈健,张景贤.碳化硅材料热导率计算研究进展[J].硅酸盐学报,2015,43(3):268-275. 被引量：13
  • 3Zibing Zhang,Jing Lu,Qisheng Chen,V. Prasad.Thermoelastic stresses in SiC single crystals grown by the physical yapor transport method[J].Acta Mechanica Sinica,2006,22(1):40-45. 被引量：1
  • 4马永强,武一宾,杨瑞霞,齐国虎,李若凡,商耀辉,陈昊,牛晨亮.4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析[J].半导体技术,2007,32(7):581-584. 被引量：3
  • 5Casady J B, Johnson R W. Status of Silicon Carbide (SiC) As a Wide-bandgap Semiconductor for High Temperature Applications:a Review [ J ]. Solid-State Electron, 1996,39 : 1409-1422.
  • 6Jenny J R, Muller St G, Powell A, et al. High Purity Semi-insulating 4H-SiC Grown by the Seeded-sublimation Method [ J ]. Journal of Electronic Material, 2002,31 : 366 -369.
  • 7Muller S G, Glass R C, Hobgood H M, et al. The Status of SiC Bulk Growth from an Industrial Point of View[J]. Journal of Crystal Growth, 2000,211:325-332.
  • 8Hofmann D, Schmitt E, Bickermann M, et al. Analysis on Defect Generation during the SiC Bulk Growth Process [ J ]. Materials Science and Engineering B, 1999,61-62:48-53.
  • 9Norbert S, Donovan L, Barrett, et al. Near-thermal Equilibrium Growth of SiC by Physical Vapor Transport [ J]. Materials Science and Engineering B, 1999,61-62:44-47.
  • 10Straubinger T L, Bickermann M, Hofmann D, et al. Stability Criteria for 4H-SiC Bulk Growth[ A]. Materials Science Forum[ C]. 2001 ,353-356:25-28.

引证文献4

二级引证文献9

功能材料
2004年 第z1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部