低压ZnO压敏薄膜制备与研究

Preparation and Characterization of Low Voltage ZnO Film Varistor

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摘要以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.

作者陆慧滕月莉殷海波陆元成潘孝仁

机构地区华东理工大学物理系

出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期68-70,共3页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

关键词 ZnO低压压敏薄膜结构非线性系数压敏电压

参考文献4

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真空科学与技术学报

2004年第z1期

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