摘要
用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷(Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置合成了纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20~30nm,纳米粉体的分散性好,无严重团聚.研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2~12.4 GHz的微波介电特性,纳米Si/C/N复相粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)在8.2~12.4 GHz随频率增大而减小,复合材料的ε′和ε″可以通过纳米粉体的含量进行调整,而且介电损耗(tgδ=ε″/ε′)较高,是较为理想的微波吸收材料,计算结果表明经典的有效媒质公式对含纳米Si/C/N复相粉体的复合材料是不适合的.纳米Si/C/N复相粉体中Si,C,N原子周围的化学环境比纯SiC和Si3N4相的混合体要复杂得多,这是导致其性能变化的主要原因.纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是其吸收电磁波的主要原因.
出处
《过程工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期193-199,共7页
The Chinese Journal of Process Engineering
基金
北京市科技新星计划(H020821280120),国家博士后基金