摘要
采用矢量有限元--边界积分法(VFEM/BI),对填充铁氧体材料的腔基微带天线的输入阻抗进行了详细的计算及分析.针对不同的偏置场H0方向,通过改变偏置场H0的强度及饱和磁化强度4πMs,分析了这种天线的输入阻抗的频率变化特征.结果表明,偏置场强度和饱和磁化强度可以对输入阻抗和谐振频率产生影响,但对于不同的偏置场方向,其影响是不相同的.可以通过改变偏置磁场的方向和强度来实现天线输入阻抗和谐振频率的变化.
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
2004年第z1期76-79,共4页
Chinese Journal of Radio Science
