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无损检测技术在垂直Bridgman晶体生长中的应用 被引量:1

Application of Non-destructive Technology in Vertical Bridgman Growth
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摘要 分别介绍了国内外X射线检测法、超声波检测法以及涡电流检测法第三种无损检测法在垂直Bridgman晶体生长中的应用,讨论了其各自的优缺点。 The application of non-destructive technology in semiconductor vertical Bridgman growth is introduct- ed. Three methods are mentioned, which are X-ray radiography,ultrasonic and eddy-current techniques. Further- more,the advantages and shortcomings of them are discussed respectively.
机构地区 上海理工大学
出处 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期290-294,共4页 Chinese Journal of Scientific Instrument
基金 国家自然科学基金(No.50276036)
关键词 垂直Bridgman生长 半导体材料 无损检测法 Vertical Bridgman growth Semiconductor Non-destructive technology
  • 相关文献

参考文献4

  • 1魏彦锋,方维政,张小平,杨建荣,何力.垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟[J].Journal of Semiconductors,2001,22(7):853-859. 被引量:11
  • 2[2]K.P Dharmasena,H.N.G.Wadley.Eddy current sensor concepts for the Bridgman growth of semiconductors,J.Cryst.Growth,1997,172:313~322.
  • 3[3]H.N.G.Wadley,B.W.Choi.Eddy current determination of the electrical conductivity-temperaure relation of Cd1-xZnxTe.J.Cryst.Growth,1997,172:323~336.
  • 4[4]K.P. Dharmasena, H.N.G.Wadley. Modeling multifrequency eddy current sensor interactions during vertical Bridgman growth of semiconductors. Rev. of Sci. Instr., 1996,70(7):3125~3142.

二级参考文献4

  • 1Hong Ouyang,J Cryst Growth,1997年,173卷,352页
  • 2Wei Shyy,Int J Heat Mass Transfer,1990年,33卷,2545页
  • 3Chin L Y,J Cryst Growth,1983年,62卷,561页
  • 4Chang C E,J Cryst Growth,1974年,23卷,135页

共引文献10

同被引文献12

引证文献1

二级引证文献2

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