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等离子体引入热丝CVD对沉积过程的影响

THE INFLUENCE OF RF-PLASMA ON HOT WIRE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS
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摘要 将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD)过程,并采用该技术制备了多晶硅和微晶硅薄膜,通过Raman散射、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质,讨论了等离子体引入热丝CVD对沉积过程的影响.结果表明,与单纯的HWCVD技术相比,等离子体的加入在一定条件下有助于薄膜晶化、增加薄膜致密度、提高薄膜均匀性并阻止硅化物在高温热丝表面的形成.
作者 刘丰珍 朱美芳 刘金龙 汪六九 韩一琴
出处 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期17-20,共4页 Acta Energiae Solaris Sinica
基金 国家重点基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028208) 国家自然科学基金项目(60076004)
关键词 等离子体 热丝CVD 多晶硅 薄膜
分类号 TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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参考文献7

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太阳能学报
2003年 第z1期

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