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低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池

CRYSTALLINE SILICON THIN FILM SOLAR CELLS PREPARED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON LOW COST SUBSTRATE
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摘要 以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.
作者 梁宗存 沈辉 胡芸菲 许宁生
出处 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期31-34,共4页 Acta Energiae Solaris Sinica
基金 中国科学院"百人计划"资助项目(99-019-422288) 国家"863"计划(2001AA513060) 德国空间与航天部(DLR)资助项目.
关键词 晶体硅薄膜电池 颗粒硅带 快热化学气相沉积 沉积 衬底
分类号 TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
  • 相关文献

参考文献7

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二级参考文献1

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共引文献6

太阳能学报
2003年 第z1期

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