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关于多带隙半导体材料及太阳电池的分析

ANALYSIS OF MULTIBAND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND SOLAR CELLS
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摘要 多带隙半导体是一种理想的半导体材料,它具有两个或两个以上被很窄的能带(或杂质带)分开的带隙.各个带隙有不同的宽度,因此,这种半导体对不同波长的光都有很好的吸收.A.Luque等提出了以这种半导体所构成的多带隙太阳电池模型,M.Green估算其理想转换效率上限高达86.8%.本文对这种电池的模型进行了分析,并提出了实现多带隙半导体材料和多带隙太阳电池的途径.
作者 冯良桓 张静全 蔡亚平 李卫 武莉莉 黎兵 郑家贵 蔡伟
出处 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期58-61,共4页 Acta Energiae Solaris Sinica
基金 国家高技术研究发展计划(863)(2001AA513010) 国家重大基础研究发展规划(973)资助项目(G2000028208)
关键词 太阳电池 多带隙 深能级杂质 光学损失
分类号 TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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参考文献6

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太阳能学报
2003年 第z1期

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